檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "Wen-Cheng Ke".eadvisor (精準) and year="108"
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氮化鎵於矽基板上成長時，因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力，造成高密度差排缺陷，降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層，提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料，垂直膜…
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為了促使LED元件達到更高的發光強度與使用壽命，同時避免電流堆積造成的高溫與光電性質劣化，多年來研究團體持續找尋適當的LED導電層。本研究欲在氮化鎵LED基板上製備具備熱穩定性的n型超奈米晶鑽石薄膜…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
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目前LED基板使用為藍寶石基板，而氮化鎵與藍寶石基板間存在著高晶格不匹配度，致使氮化鎵薄膜內部產生 109~1010 cm2 之貫穿型差排缺陷，嚴重影響到後續 LED 元件光電性能。圖案藍寶石…